无电子传输层的QLED,qled量子点电视

无电子传输层的QLED,qled量子点电视

波兰弗罗茨瓦夫理工大学和其他机构的研究人员报告了空气暴露对锌镁纳米颗粒（NP）光学和电学特性的影响，这种颗粒常用于基于镉的量子点发光二极管（QLED）。 电子传输层。 近期，杜祖良教授课题组报告了一种利用简单手段平衡量子点发光二极管（QLED）载流子注入的方法。 通过旋涂和退火两次ZnO电子传输层，在双层ZnO电子传输层之间

为了提高QLED的性能，有几种有效的策略，包括用于提高QD光致发光量子产率(PLQY)的先进合成化学、用于改进空穴注入的QD能带结构定制以及已开发的使用电子的方法。 化学稳定的配体消除了原位氧化反应。就目前主流的QLED（ZnO为ELT层，有机物为HLT层）而言，ELT层的电子传输效率高于HLT层的空穴传输效率。

典型的QLED由p型聚合物空穴传输层(HTL)、QDemitter和Ann型ZnO电子传输层(ETL)组成，它们依次堆叠并夹在透明阳极和金属阴极之间。 通过施加电压，电子和空穴可以克服势垒并注入到QLED器件中。氧化锌通常用作电子传输层。传统的提高氧化锌电子传输层导电性的方法是进一步增大氧化锌的粒径。 直径，但随着粒径增大，带隙变窄。 将纳米粒子作为ETL应用于QLED器件

它还严重依赖于电荷传输层（电子传输层和空穴传输层）；电荷传输层不仅影响到量子点层的电荷注入，还影响QLED运行过程中的其他基本过程，准备性能理想的电荷传输层来提高器件效率。量子点发光二极管通常由五个部分组成：阳极、空穴注入/传输层、量子点发光层、电子注入/传输层和阴极。 QLED的工作原理是在外部电压驱动下，从阳极注入空穴，从阴极注入电子。

在深蓝色QLED中，PVK经常用作空穴传输层（HTL），但其空穴迁移率落后氧化锌三个数量级。 同时，PVK和量子点之间的大空穴注入势垒阻碍了有效的空穴注入，导致器件运行期间电子过度注入，从而在QLED中常用的空穴传输层PTAA和Poly-TPD中产生空穴。 其迁移率远大于电子传输层TPBi。这种电荷注入和传输能力的不匹配将导致器件中载流子注入严重不平衡。 和不平衡电荷注