TFT特性曲线,TFT器件最基本的三项指标

TFT原理 2023-12-23 14:49 659 墨鱼

TFT原理

TFT特性曲线,TFT器件最基本的三项指标

1.HP4156B测试FlexSubsZnOTFT时，其输出特性曲线如图1所示；2.HP4156B测试FlexSubsZnOTFT时，其传输特性曲线如图2所示，阈值电压为27V；3.由图3可知，ZnOTFT的通态LCD和OLED屏点亮时，TFT应力机制不同，一个是BTS，另一个是CTS，具体可以查看BTS和CTS的相关文献。

下图为采用a-Si、IGZO和LTPS背板技术的TFT的传输特性曲线。可见，低温多晶硅材料具有载流子迁移率大的特点，但其缺点是漏电流较大，一般为10E-10～-12A/μm。当Uds保持不变时，IGZO的迁移率传输特性代表了Id和Ugs之间的关系。该曲线上出现亚阈值区域。该区域是TFT从截止状态到导通状态的过渡区域，即电流从低截止状态电流呈指数上升到高导通状态电流的区域。 3.TFT和M

通过改变像素电极和OTFT之间的层间电介质（ILD）的厚度，绘制了两种结构的模拟传输特性曲线（图3）。可见，BCBGOTFT像素电极的存在会导致传输特性曲线遵循漏电极1。TFT特性更多地依赖于传输曲线，这是正确的。大多数参数，迁移率，Vth，亚阈值摆幅（ss）等都可以从传递曲线中计算出来。你的图片表示为log，一般用来计算S

VP公众号：AMOLED经干法刻蚀机刻蚀后，玻璃不同位置处剩余的a-Si量不同，这会导致不同位置的TFT特性存在差异。为了消除这种影响，表征TFT特性的数值采用平均值。测试环境：经常，但不是必须。TFT有自己的特性曲线，一般如下：一旦TFT特性出现偏差，应关断的电压实际上并没有截止，导致显示异常。但这种异常通常发生在高温高湿的环境中。

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