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原装进口IRF9530NPBFP-沟道MOS场效应管F9530NTO-220现货直销深圳市科力微电子有限公司5年平均月发货速度:无记录广东深圳¥1.03全新进口高品质F9530N=IRF9530N场效应管Pchannel-100VishayIRF9530是P极性MOS管。主要参数分别是:Vds-漏源击穿电压:100V,Id-连续漏电流:12A,RdsOn-漏源导通电阻 :300mOhms,Vgs-栅源电压:20V,+20V,
进口全新IRF9530N场效应管F9530N晶体管100V14ATO220P沟道原装深圳市丰兴佳科技有限公司6年平均月交货速度:无记录尚¥1.40,广东深圳市福田区供应全新原装IRF9530NPBFF9530N带电流放大功能,是电子电路的核心部件s。 在半导体衬底上制作两个非常靠近的PN结。这两个PN结将整个半导体分成三部分
(=`′=) F9530Ni的Vf一般为0.8V,该参数影响场效应管的导通特性和功耗。 3.2阈值电压(Vgs(th))阈值电压是指场效应晶体管导通的临界电压。当栅极电压超过阈值电压时,场效应晶体管开始导通。 F953品牌:龙世佳型号:F9540NF9530N封装:TO-220批号:NewYearFET类型:ND漏源电压(Vdss):100V漏源电流(Id):500漏源导通电阻(RDSOn):500栅源电压(Vgs):100VGatecharge(Qg):0.1反向恢复时间:0.1 最大限度
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