场效应管NPD0383,si2301场效应管参数

fdd8447l场效应管参数 2023-12-12 10:45 186 墨鱼

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此外，在p沟道晶体管中，施加低电位的端子称为漏极，施加高电位的端子称为源极。在本说明书中，尽管为了方便起见，在一些情况下假设源极和漏极被固定以描述晶体管的连接关系[0156]此外，例如场效应晶体管(FET)也可以形成在上述基板上，并且发光元件150被制造在与FET电连接的电极上。这使得可以制造其中发光元件150的驱动由FET控制的有源矩阵显示装置。 [0157]本实施例所示

3.该目的通过本发明实现，本发明提供一类新的有机分子。 4.根据本发明，有机分子是纯有机分子，即，与已知用于光电器件的金属络合物相比，它们不包含任何金属离子。 5.根据本发明的有机场效应晶体管；0107]·有机激光器；以及[0108]·下转换组件。 [0109]发光电化学电池由三层组成，即阴极、阳极和可含有根据本发明的有机分子的活性层。 0110]首选

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