cs830参数,cs830是什么管子

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≡(▔﹏▔)≡ CS830场效应晶体管参数CS830F场效应晶体管（FieldEffectTransistor，简称FET），其参数会根据制造商和型号的不同而有所不同。 一般来说，场效应管的参数包括：1、最大漏源电压（VDSmax）：FETcs830可用IRF830代替。参数如下：漏源电压VDSS：500V漏电流ID：5.0A（温度=25℃）；3.0A（温度=25℃）；最大漏电流IDM：18A栅与源电压源VGS：±30V

＞０＜ 海信830参数及替换5A/500V，k3568。 海信集团控股有限公司，又称"海信"，成立于1969年，旗下拥有海信视讯（600060）、海信家电（000921）、三电控股（6444）三家公司。新推出的DCS830场效应管主要参数为5A/500V，被AK35取代。68晶体管。 海信电子信息集团专注于显示行业、移动通信、互联网运营、物联网、智能制造及相关领域的产品。

ˇ▂ˇ 华晶分立器件CS830概述及特点CS830型VDMOS晶体管CS830型VDMOS晶体管主要用于功率开关。 其特性如下：电气特性2.1LimitValues除非另有说明，TambSymbolRatingsUnitContinouslyDrainCS830A4H-BDMOS(FieldEffectTransistor)电子元件华晶封装TO-252Batch22+FDS8858CZFieldEffectTransistorONPackageSOP-8Batch21+FDN352APFETON封装SOT-23批量21+查看更多>>FETcs830参数-高品质

ˇ﹏ˇ 型号:CS830A4RD类型:N沟道场效应晶体管功耗(PD):75WD漏极电流(ID):[外壳温度(Tc)=25℃]5AD漏极和源极电压(VDSS):500V漏极和源极导通电阻(RDS(on)):1.25Ω封装:TO-CS8302_ShangdaTechnology3.0W单声道 低EMIClassDaudiopoweramplifierJul,2011Rev.1.0

技术参数：型号CS820AVCCS830AVCCS840AVCCS860AVC额定功率20W30W40W60W频率响应80HZ-18KHZ供电方式AC220V~50/60HZ产品尺寸mm135*112*315135*112*435135*112*545cS830现场效应晶体管主要参数为5A/500V。 可以用k3568晶体管代替。 它们具有相同的参数、相同的性能和功率。 可以用k3568替换。 变化：如果单词分数中有单词变化，则一定是在前一句中。它们都押韵斜韵。此时，改变