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ddr3内存频率有哪些 |
频率时序,时序和频率哪个影响更大
举个例子,比如G.SKILL2400MHzDDR4内存的时序是17-17-17-39,而2666MHz内存的时序是19-19-19-43。在实际测试中,2666MHz虽然内存频率较高,但由于时序数值较高,所以性能和时序采样适合需要分析数据时间维度的场景,比如测量并监控不断变化的物理量。 频率采样适用于需要分析数据周期性变化的场景,例如分析周期性信号。
>▽< 当频率相同时,定时越低,延迟越小。 当时序相同时,频率越高,延迟越小。 内存延迟计算公式:内存延迟=时序(CLx2000)/内存频率。 DDR:(CL3*2000)/400MHz=15nsDDR2:(CL5*2000)/8这是DDR55200的内存。它的计时是40-40-40-78,那么它的CL是40*2000/5200=15.4,总共,
?▽? "40-40-40-77"是某品牌5200MHzD5产品的时序设计,"16-16-16-36"是该品牌4000MHzD4产品的时序设计。 从时序角度来看,虽然D5内存在绝对频率上有显着差异,但两者之间几乎有2倍的数值差异。本次测试使用的是宏碁PredatorApollo内存,该内存采用了三星特选的B-die内存颗粒。 ,其XMP频率和时序为3600MHzCL14-15-15-36。 三星B-die芯片的特点是很容易减少时序和超频。
≥△≤ 例如芝奇的2400MHzDDR4内存的时序是17-17-17-39,而2666MHz内存的时序是19-19-19-43。实际测试中,虽然2666MHz内存频率更高,但是因为时序值也高,所以没有性能优势。内存时序的含义很可能是内存的读取地址。格式为X-X-X-X这四个数字分别是CL、tRCD、tRP和tRAS。所以你可能会感到困惑。 ,那么笔者就为大家一一讲解。 首先,C其实是最重要的
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标签: 时序和频率哪个影响更大
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