v1v2为硅二极管,v3为锗二极管,锗二极管

放大电路硅管和锗管 2023-12-25 16:08 639 墨鱼

放大电路硅管和锗管

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硅的导通电压约为0.7v，而锗的导通电压为0.2v，所以：0.2v反向饱和电流越小，其表现出的单向导电性越强，管子的质量越好。反向饱和电流是由少数载流子的运动形成的。少数载流子受温度的影响很大。因此，锗管比硅管受温度的影响更大。

硅二极管和锗二极管的区别。锗管和硅管的主要区别是：正向连接时，硅管的导通电压大，而锗管的导通电压小。反向连接时，硅管的反向饱和电流比锗管小。电阻的反应如下：硅管锗二极管的正反向导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压约为0.1V；硅管二极管的导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压约为0.5V。

(｀▽′) 6、由于硅二极管的绝缘电阻远小于锗二极管，因此硅二极管的阈值电压比锗二极管大。一般硅二极管的阈值电压约为0.5V~0.6V，锗二极管的阈值电压约为0.1V~0硅二极管锗二极管点接触面接触平面开关二极管光敏二极管过程2.晶体二极管的伏安特性二极管两端的电压u（单位伏）和电流i（单位安培）之间的变化规律称为晶体塔尔二极管

二极管及其基本电路原理图二极管及其基本电路结构电路符号硅（Si）锗（Ge）砷化镓（GaAs）等半导体材料，白边，长短脚2.伏安特性，伏安特性根据理论分析，硅二极管与锗二极管的区别：1.电流相同时，直流电阻锗管的电阻小于硅管的电阻。硅管的电阻比锗管小。 2.根据实验研究，锗二极管在0.2V时开始有正向电流，而硅二极管

分析：由于VDZ1的稳压值小于VDZ2的稳压值，因此VDZ1先导通，导通后UAB=0.7V。此时，VDZ2上加有反向电压，VDZ2截止，输出电压U0=UAB=0.7V。更多》电路如图所示，假设采用硅稳压管VDZ1和VDZ2。结果1硅二极管和锗二极管的死区电压分别为V和V。导通后，硅二极管的正向压降约为V。解答相关建议1硅二极管和锗二极管的死区电压分别为V和V。导通后，硅二极管的正向压降约为

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标签：锗二极管