半导体器件知识点总结,半导体产品分类方式

半导体器件知识点总结,半导体产品分类方式

半导体物理学知识点概要（微电子器件基础）.pdf，第一章：能带理论单电子近似方法研究晶体电子态的理论金刚石结构。两个面心立方体由四分之一的锌闪锌矿按体对角线平移。 MineWurtziteTwoNJUESE|"FundamentalsofSemiconductorDevices"EasyTestKnowledgePoints(1)|MOSFET|AcompulsorycourseforjuniorsmajoringinmicroelectronicsscienceandengineeringattheSchoolofElectronicScienceandEngineering,NanjingUniversityNJUMemoriesPublishedinNJUESNJUESE|"DigitalIntegratedCircuitI》ElectronicScience,NanjingUniversity

≥▽≤ 雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值并形成强电场使器件中的电流增加。 芯片尺寸的增加增加了雪崩阻力，最终提高了设备​​的鲁棒性。 因此选择较大的封装可以有效防止雪崩。 6概要：半导体器件涵盖了半导体的概念和特性，PN结的形成和特性，二极管、晶体管、场效应晶体管、集成电路、光电器件、功率器件和传感器等的工作原理和应用。 理解并掌握

5、温度越高，载流子数量越多，半导体的导电性越好。 6.杂质半导体：在本征半导体中掺杂微量杂质，形成杂质半导体；7.N型半导体（电子半导体）：掺杂五价元素（磷原子），掺杂后有自由电子半导体器件物理重要知识点击第二章结型二极管了解基本假设和意义理想结点。 Ø导出长结和短结少数载流子分布的表达式。 Ø掌握公式。 Ø解释理想结中反向电流的来源。 Ø绘制正向和反向偏置连接点

≥＾≤ 半导体器件知识点1关键词半导体器件半导体物理教学思想CLC分类号：G642文献标识码：A文章编号：1002-7661(2017)02-0058-02随着半导体技术的发展，微电子技术已经渗透到2.能量跳跃到未被占据的能级。价带：全带被价电子占据。全带：电子占据全部能级。半导体合金：任意比例的IV族元素。聚变能谷：导带极小。 价值本征半导体：纯半导体完全不含杂质且无晶格缺陷应变半导体

资源说明：4.MOSFET1.分类FETJFET、MESFET、IGFET(MOSFET)MOSFET增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS，增强型和耗尽型是由阈值电压决定的，常用的有增强型器件。 2.本书不仅讲述了半导体的基础知识，还对小型器件的物理问题进行了分析和讨论，具有一定的深度和广度。 本书内容丰富、概念清晰、深入浅出、理论分析透彻。 此外，本书每一章的难点后面都列出了示例和不言自明的问题。