锗管开启电压,硅和锗的开启电压

锗管开启电压,硅和锗的开启电压

在单导体中，导通电压是指PN结从负载停止状态转变为导通状态时的电压，也就是刚开始导通时的电压。硅管和锗管的导通电压分别为0.5V和0.2V-0.3。 五、导通电压是指PN结导通后PN结两端的电压，该电压加在二极管的正负极之间。当该电压大于一定范围时，二极管开始导通。这个电压称为导通电压。 锗管约为0.3，硅管约为0.7。 死区电压是指二极管在特定电路中使用时产生的电压降。

?０? 锗二极管的导通电压一般在0.2V左右，具体值与其工作温度密切相关。 由于其独特的电气特性，锗二极管在一些低功耗、高精度等应用中仍然表现良好。 2.对于锗二极管，导通电压为0.2V，导通电压U约为0.3V。 锗二极管是由锗材料制成的二极管。 在几乎所有电子电路中，

由于硅和锗核外电子数的排列，它们的共价结构并不完全一样。因此，锗管只需要较小的导通电压，为0.2-0.3，而硅管只需要0.65-0.75。由于上述原因，硅最稳定，即导通电压（锗管的导通电压）的热稳定性镁管为0.1V，开启电压为01V-0.3V；硅管开启电压为0.5V，开启电压为0 .6V-0.8V）正向特性：当正向电压很小时，正向电流很小，几乎为零，相应区间内的电压称为死区电压。 死区电源

＋▽＋ 对于锗管来说，其导通电压一般在0.2V-0.3V左右。 这个导通电压值比较小，所以在实际应用中需要特别注意测量和应用。 3、锗管的应用由于锗管的导通电压比较低，不同材质的二极管所使用的锗管的启动电压也不同。硅管约为0.5-.7伏，锗管约为0.1-0.3伏。

硅管导通电压UON=0.5V，工作在0.5-0.8V。锗管导通电压UON=0.1V，工作在0.1-0.3V。伏安特性表达式。伏安特性表达式UT在常温下约为26mva。正向特性的近似值为倒数。 特性电流近似值的主要参数：死区电压也称为导通电压和击穿电压，这是在不同情况下使用的两个名称。 死区电压是指即使施加正向电压，也必须达到一定水平才开始导通。这个阈值称为死区电压。硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。 硅锗