d1是锗二极管,其正向压降为0.2v,如图所示电路中二极管为理想二极管

d1是锗二极管,其正向压降为0.2v,如图所示电路中二极管为理想二极管

只有当正向电压达到一定值（这个值称为"阈值电压"，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）时，二极管才能直接导通。 二极管导通后，二极管两端的电压基本保持不变（锗管的外加电压约为0.5V。使正向电流从零开始大幅增加的外加电压称为导通电压或阈值电压。室温下，硅二极管的导通电压约为0.5V。二极管的导通电压约为0.2V。当正向电压大于导通电压，正向电流呈指数关系

2、常温下，硅二极管的阈值电压约为10V，导通后较大电流下的正向压降约为V。 V.3.在常温下，发光二极管的正向D.动态是不同的，不同的。5.[单选题]假设一个二极管在正向电流ID=10mA时，其正向电压降UD=0.6V。 当二极管的结温增加10℃时，如果UD保持不变，则ID的值为()。 A.小于10mA。

硅材料二极管的正向压降一般在0.5V~1.2V左右，锗材料二极管的正向压降一般在0.2V~0.4V左右，但不能达到零伏（理想状态）。 如果用万用表的电压档位测量二极管的sva?0.7r3?1.42ma1.33，电路如图1.3所示。可知d1为锗二极管，其死区电压vth=0.2v，正向压降为0.3v；d2为硅二极管，其死区电压vth=0.5v，正向导体

Uth(硅)≈0.5V；Uth(锗)≈0.2V。 硅二极管的正向压降比锗管大。 Uon(硅)≈0.6～0.7V；Uon(锗)≈0.2～0.3V。 ②硅二极管的反向饱和电流I远小于锗管。 由于二极管的单向导电特性，半导体二极管被几乎所有电子电路所采用，在许多电路中发挥着重要作用，是最早出现的半导体器件之一，应用广泛。 二极管

二极管的导通电压是指二极管正向导通后，其正向压降基本不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。 正向特性：回答电子电路电气工程与电子技术中的商店查看问题B1.多项选择题1.有源的二端网络。测量开路电压为100V，短路电流为10A。外接10Ω负载电阻时，负载电流为(B)A.10A;B.5A;C