半导体的温度特性曲线是什么,半导体在光照下的电流曲线

半导体的温度特性曲线是什么,半导体在光照下的电流曲线

2.二极管的伏安特性就是PN结的伏安特性；3.由于体电阻的存在，正向电流比PN结小；由于二极管表面漏电流的存在，反向电流比PN结大（明白）4.当温度升高时，正向曲线向左移动，反向曲线向下移动；因为T。 3、PTC型热敏电阻的温度特性NTC半导体热敏电阻是以钛酸钡为主要原料的氧化半导体陶瓷，具有独特的电阻温度特性，本实验不做详细介绍，只需要测量其温度。

半导体晶体管的参数分为三类：直流参数、交流参数和极限参数。

(1)直流参数

＋＾＋ 1）直流电流放大系数

变焦区域基本不变。 在共发射极输出特性曲线上，垂直于X轴的直线（vCE共发射极电路输出特性曲线

12、热敏电阻：热敏电阻是利用半导体材料的电阻率随温度变化的特性制成的电阻器件。多用于温度控制和温度补偿电路。 13、热电材料：热电材料利用半导体材料的电阻率随温度变化的特性。半导体二极管的核心是PN结，其特点就是PN结的特性——单向导电性。 实验上，向二极管的阳极和阴极端添加少量的水。

（°ο°） 有许多电子元件和器件具有非线性特性，即它们的V/I比率不是恒定的。 半导体二极管的特点是具有非线性电流-电压特性，因为流过正向偏置的普通硅二极管的电流受钽电容温度特性曲线原理分析的影响。在介绍AVX钽电容温度特性曲线之前，我们必须先了解以下两个基本概念：额定容量（CR），这是额定容量电容。 ForantalumOxiCap?电容器

1.半导体二极管VA特性曲线硅:0.5V锗:0.1V(1)正向特性导通压降反向饱和电流(2)反向特性死区电压击穿电压UBR实验曲线uEiVmAuEiVuA锗硅:0.7V锗:2.二极管模型及近似半导体二极管伏安特性曲线二极管1.伏安特性曲线几乎相同2.硅管和锗管特性差异3.温度对二极管伏安特性曲线的影响二极管的主要特点参数1.最大整流电流I*f*2.最大反向工作电压U