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怎么判断PNP是硅管还是锗管 |
锗导通电压,导通电压和开启电压的区别
锗二极管的导通电压为0.1V-0.3V,一般为0.2V,死区电压为0.1V左右。 对于锗二极管来说,导通电压为0.2V,导通电压U约为0.3V。 一般来说,锗二极管的正常导通电压在0.2V-0.3V之间,远低于硅二极管的正常导通电压。 这就是为什么锗二极管在某些应用中得到更广泛使用的原因之一。 其次,锗2
锗二极管的导通电压为0.1V-0.3V,一般为0.2V,死区电压为0.1V左右;硅二极管的导通电压为0.5V-0.8V,一般为0.7V,死区电压为0.5V左右。 文章整合自:百度知道和小有树。硅二极管的正向压降为0.5-0.7伏;锗二极管的正向压降为0.1-0.3伏。导通压降受通过电流大小的影响。"导通电压"应该是指初始导通时的压降,
导通电压是指锗二极管开始传导电流所需的最小正向偏压。 其值取决于器件特性和工作温度,通常在0.2V和0.4V之间。 与硅二极管相比,锗二极管的传导电压较低。 22.因此,导通电压理论上是由掺杂浓度决定的,但实际上是由半导体材料决定的,这与实际经验是一致的。 带隙宽度为砷>硅>锗,因此导通电压也为砷>硅>锗。 3.如果开启电压为5伏
ˇ▽ˇ 锗管的压降为0.2V~0.3V,最大电流至少为0.3V。 但由于除压降外其他指标都不如硅管,所以锗管现在已经非常少见,几乎可以被视为被淘汰。 建议您使用肖特基二极管。 该二极管的正向导通电压为()。 A.0.2vB.0.3VC.0.5VD.0.7V相关知识点:问题来源:AnalysisBFeedbackCollection
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标签: 导通电压和开启电压的区别
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